在AlN陶瓷中的应用，氮化铝（AlN）为六方纤锌矿结构，具有良好的抗热震性、绝缘体、热膨胀系数低和力学性能，理论热导率达320W·m-1·K-1，即使在特殊气氛中也有优异的耐高温性能，是理想的大规模集成电路基板和封装材料，但其抗氧化性很差。
氮化铝陶瓷出色的导热性能
(1)热导率高，满足器件散热需求；
(2)耐热性好，满足功率器件高温(大于200°C)应用需求；
(3)热膨胀系数匹配，与芯片材料热膨胀系数匹配，降低封装热应力；
(4)介电常数小，高频特性好，降低器件信号传输时间，提高信号传输速率；
(5)机械强度高，满足器件封装与应用过程中力学性能要求；
(6)耐腐蚀性好，能够耐受强酸、强碱、沸水、有机溶液等侵蚀；
(7)结构致密，满足电子器件气密封装需求。
冀公网安备13010402003046号