BDR2L00是一种单相MOSFET栅极驱动器，优化用于驱动高侧和低侧功率MOSFET的栅极。
集成自举二极管减少外部元件数量。通过宽的工作电压范围，可以优化高侧或低侧MOSFET栅极驱动电压以获得良好效率。内部自适应非重叠电路通过防止两个mosfet同时导通进一步降低开关损耗。
二，功能
驱动两个n - mosfet
●高频操作
支持3.3V和5V的PWM输入
输出上升时间快
内部自举二极管
适应性射击通过保护
电压欠锁
“内部热停机”
●小尺寸封装:SOP-8、DFN8(2x2、3x3
三，应用程序
●5W至20W系统无线充电器
N+N MOSFET的半桥或全桥驱动器
冀公网安备13010402003046号