一、描述
这种功率MOSFET是使用SL semi的先进平面条纹DMOS技术生产的。
这种先进的技术是专门定制的，以zui小化对态电阻，提供优越的开关性能，并在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。这些设备非常适合低电压应用，如DC/DC转换器和便携式和电池操作产品的电源管理的开关。
二、特性
4.0A, 650V, RDS(on) = 3.0?@vgs = 10 v
低栅电荷(典型15nC)
高强度
快速切换
提高dv/dt能力
SI4N65(高压MOSFET)
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SI4N65(高压MOSFET)
详细信息
一、描述 这种功率MOSFET是使用SL semi的先进平面条纹DMOS技术生产的。 这种先进的技术是专门定制的，以zui小化对态电阻，提供优越的开关性能，并在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。这些设备非常适合低电压应用，如DC/DC转换器和便携式和电池操作产品的电源管理的开关。 二、特性 4.0A, 650V, RDS(on) = 3.0?@vgs = 10 v 低栅电荷(典型15nC) 高强度 快速切换 提高dv/dt能力 |
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